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美國聯邦通信委員會（FCC）在其官網宣布，撤銷多家中國實驗室對進入美國市場電子產品的測試認證許可。

據天眼查APP消息，9月8日，南京華天先進封裝有限公司完成工商登記注冊，正式宣告成立。資料顯示，南京華天先進封裝有限公司由天

據華潤微電子官微消息，日前，華潤微電子在重慶園區召開12英寸功率半導體晶圓生產線產品上量專題會，會上宣布項目提前一年半達成

SiC 新型功率 MOS器件結構以及柵驅動電路的設計與研究所在學院：廣州研究院項目概況（一）項目背景隨著電動汽車充電系統、5G基站

9月8日，海門經濟技術開發區與韓國JHONE公司正式簽署半導體晶圓載具項目投資協議，標志著又一國際高端半導體項目扎根海門，為海

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將在云南昆明舉辦。屆時，云南大學材料與能源學院（研究員，云南省重點實驗室副主任）、云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經理王茺受邀將出席會議，并帶來《GaSb基異質薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究》的主題報告，分享最新相關趨勢，敬請關注！

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，西安電子科技大學集成電路學部教授寧靜將受邀出席論壇，并帶來了《超寬禁帶半導體范德華異質結構及器件研究》的主題報告，敬請關注！

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司COO包世濤將受邀出席論壇，并帶來了《中國鍺產業發展現狀與高質量發展路徑展望》的主題報告，敬請關注！

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，浙江大學杭州國際科創中心科創百人計劃研究員韓學峰將受邀出席論壇，并帶來了《PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究》的主題報告，敬請關注！

由中國科學院長春光學精密機械與物理研究所牽頭制定，遵循CASASCSAS標準制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委

北京晶飛半導體科技有限公司在碳化硅晶圓加工技術領域取得重大突破，成功利用自主研發的激光剝離設備實現了12英寸碳化硅晶圓的剝離。

此次突破不僅體現了科友在碳化硅晶體生長技術與熱場設計方面的持續創新能力，設備自研＋工藝自主是公司在寬禁帶半導體材料領域堅實技術實力的重要證明。

成都信息工程大學、宏電科技、廣電計量等10家企業現場達成技術合作，雙流區也與成都超純應用材料股份有限公司、南京金理念信息技術有限公司等5家企業簽約產業化項目、協議投資額近20億元。

上海南芯半導體科技股份有限公司（證券簡稱：南芯科技，證券代碼：688484）于2025年9月8日發布公告，詳細說明了公司本次募集資金投向科技創新領域的具體情況。

南京大學莊喆、劉斌、張榮團隊聯合沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）、合肥工業大學等單位，成功開發出一種在非晶襯底（如二氧化硅SiO?、石英）上實現高質量單晶III族氮化物半導體薄膜外延生長新技術。

據崇川在線公眾號消息，9月4日，半導體封裝材料項目簽約落戶市北高新區，崇川集成電路產業集群發展再添新動能。據悉，項目計劃總

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，云南大學研究員史衍麗受邀將出席會議，并帶來《1550nm InP/InGaAs 單光子探測器》的主題報告，敬請關注！

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，南京大學教授修向前受邀將出席會議，并帶來《氮化鎵襯底生長工藝及設備技術研究》的主題報告，敬請關注！

鎵仁半導體8英寸氧化鎵襯底通過了國內/國外知名機構的檢測，并聯合發布檢測結果。

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市。該系列憑借更小尺寸、更快開關速度、更高效率的顯著優勢，在關鍵性能指標上實現突破性進展，為電源系統設計樹立新標桿。