2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門召開。 屆時，北京大學助理教授鞠光旭將受邀出席論壇，并帶來《基于同步輻射 X 射線的 OMVPE 條件下 (In)GaN 生長動力學原位研究》的主題報告，敬請關(guān)注！
嘉賓簡介
鞠光旭，北京大學物理學院助理教授，博雅青年研究員。日本名古屋大學博士，自2009年以來一直致力于使用原位X射線表征技術(shù)研究GaN基半導體的外延生長動力學。最近的研究重點是將金屬有機氣相外延（MOVPE）與基于同步加速器的相干X射線技術(shù)相結(jié)合，以解決該領(lǐng)域的關(guān)鍵科學挑戰(zhàn)。這些包括通過橋接生長動力學和動力學來揭示階梯流和逐層外延，闡明InGaN合金形成的機制，研究應變弛豫過程，以及探索異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的位錯行為。旨在實現(xiàn)對III族氮化物外延的原子分辨監(jiān)測和精確控制，同時揭示這些材料的基本物理性質(zhì)。在《自然物理學》和《自然通訊》上以第一作者和通訊作者的身份發(fā)表了論文。她之前的研究經(jīng)驗遍及國際知名機構(gòu)。2012年至2014年，在日本名古屋大學擔任研究員。2014年至2018年，在美國阿貢國家實驗室擔任博士后，專注于材料生長的原位同步輻射X射線研究。從2018年到2022年，加利福尼亞州圣何塞Lumileds的首席科學家，領(lǐng)導了MOVPE系統(tǒng)的原位表征和過程控制工作。
報告摘要
有機金屬氣相外延（OMVPE）是生長III-V族氮化物半導體（如GaN及其合金）薄、高質(zhì)量外延層的領(lǐng)先技術(shù)，廣泛應用于LED和HEMT等光學和電子器件。盡管OMVPE應用廣泛，但它仍然非常復雜，涉及化學反應、熱力學、表面動力學以及質(zhì)量和熱量傳輸之間的復雜相互作用。一個主要的挑戰(zhàn)在于理解在生長過程中決定表面形態(tài)演變和缺陷形成的原子尺度機制。基于Burton、Cabrera和Frank（BCF）的工作，原子水平的外延生長可以通過表面臺階、臺階扭結(jié)和階地吸附原子的相互作用來描述。深入了解這些機制不僅可以推進理論建模，還可以精確控制表面和界面特性，這對優(yōu)化器件性能至關(guān)重要。為了應對這些挑戰(zhàn)，我們開發(fā)了一種新型的原位時間分辨儀器，用于通過OMVPE觀察III族氮化物外延膜的生長。我們的系統(tǒng)利用先進的同步加速器x射線技術(shù)和相干x射線束，通過跟蹤復雜衍射圖案的演變，實現(xiàn)了對原子尺度島排列和表面臺階的原位分析。報告將介紹最近關(guān)于GaN截止方向和角度對（In）GaN生長過程中原子臺階動力學影響的實驗。該方法提供了對步進流生長模式下GaN同質(zhì)外延的詳細理解，并為實現(xiàn)均勻的InGaN合金生長提供了見解。
附：會議信息
第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）將于2025年11月11-14日在廈門召開。
國際第三代半導體論壇（IFWS）由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，是國內(nèi)第三代半導體領(lǐng)域規(guī)模最大、人數(shù)最多、出席嘉賓規(guī)格最高的年度盛會，優(yōu)秀論文被IEEE電子圖書館收錄。會議以加強第三代半導體電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為宗旨，內(nèi)容全面覆蓋基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用等各環(huán)節(jié)，促進相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展，是全球范圍內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈合作交流的重要平臺與高層次綜合性論壇。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）由中關(guān)村半導體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主辦，是國內(nèi)LED行業(yè)最早、最具規(guī)模的全球性專業(yè)論壇，優(yōu)秀論文被IEEE電子圖書館收錄。論壇自2004年首屆伊始，至今已連續(xù)成功舉辦了二十一屆，內(nèi)容涵蓋LED全產(chǎn)業(yè)鏈及細分應用領(lǐng)域，見證了我國LED產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，樹立了“中國半導體照明行業(yè)第一論壇”的良好聲譽和國際形象。
自2015年開始，IFWS與SSLCHINA兩大國際盛會強強聯(lián)合同期舉行，融合聚集了產(chǎn)、學、研、用、政、金等多維度資源，通過論壇搭建的平臺，實現(xiàn)信息互通和資源聚集，共同推動了我國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，論壇已成為集技術(shù)交流、產(chǎn)業(yè)合作、成果轉(zhuǎn)化為一體的重要平臺。至今，論壇共邀請了包括諾貝爾獎得主在內(nèi)的全球最頂級專家陣容百余位，舉辦了400余場峰會，呈現(xiàn)了超過3700個專業(yè)報告，累計參會代表覆蓋全球90多個國家逾46,200人次。
本屆論壇以“鏈通全球·芯動未來”為主題，聚焦第三代半導體領(lǐng)域國際科技交流與互信合作。由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學（XMU）共同主辦，惠新（廈門）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。 今年論壇全新升級，除了數(shù)十場前沿主題論壇，2025先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展(CASTAS2025) 、short course、校友會、芯友薈、City walk等豐富多彩的系列活動。同時，還將發(fā)布"2025年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展"結(jié)果，重要簽約&發(fā)布等，現(xiàn)場令人期待。
截至目前，大會已經(jīng)收到210余篇學術(shù)論文投稿。論壇與IEEE長期合作，經(jīng)過專家審稿錄取的論文，會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。今年大會宣布現(xiàn)場特別設(shè)置“POSTER學術(shù)交流專區(qū)”，誠摯歡迎行業(yè)內(nèi)專家學者蒞臨大會現(xiàn)場，與POSTER作者現(xiàn)場交流研討！
論壇還將聚焦我國“十五五”產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機遇，圍繞技術(shù)創(chuàng)新、應用拓展、生態(tài)構(gòu)建等關(guān)鍵議題展開深入探討，推動“創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈”深度融合，加速第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新與高質(zhì)量發(fā)展。論壇組委會誠邀海內(nèi)外第三代半導體產(chǎn)、學、研、用、資不同環(huán)節(jié)的業(yè)界同仁，11月相聚美麗溫暖的鷺島廈門，共探產(chǎn)業(yè)發(fā)展“芯”機會，共創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展新未來。
IFWS&SSLCHINA 2025日程總覽
CASTAS2024現(xiàn)場
【征文方向】
【征集流程】
1. 作者提交信息表和摘要或全文，按規(guī)定提交至指定平臺。投稿人可掃描下方二維碼投稿。
（掃描二維碼投稿）
投稿鏈接：https://app.zhundao.net/pingshen/index.html?id=238
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3.作者需準備如下材料：
1)口頭報告：作者需準備論文與演示文件（PPT/PDF）；
2)POSTER：作者需準備論文與POSTER文件（POSTER需要顯示給予的投稿論文編號。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并在POSTER展示區(qū)域自行張貼）
3)入刊會議論文集：作者需準備論文。作者需要根據(jù)論文模板準備論文全文。
注：1)官方網(wǎng)站（http://www.sslchina.org或www.ifws.org.cn）提供更多詳盡信息，請作者務必按照相應規(guī)定和時間要求準備材料，以便順利通過論文審核。
2)投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
【征文要求】
1.基本要求：
1) 尚未在國內(nèi)外公開刊物或其他學術(shù)會議上發(fā)表過的論文;
2) 主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準確，論述嚴謹，結(jié)論明確，采用法定計量單位;
3) 按照組委會提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內(nèi)容不超過4頁;
4) 論文全文需符合APA撰寫規(guī)范并符合模板排版格式
2.語言要求：
1) 作者須提交文體規(guī)范的英文論文；
2) 演講語言可以使用中文或英文，但必須用英文演示（PPT或PDF文檔）。
注：含有商業(yè)性宣傳內(nèi)容的論文，不予安排在論壇演講。
【重要日期及提交方式】
1.論文摘要截止日期：2025年9月5日
2.論文摘要錄用通知：2025年9月15日
3.全文提交截止日期：2025年10月8日
4.論文全文錄用通知：2025年10月13日
5.口頭報告演示文件（PPT或PDF）提交截止日：2025年11月7日
6.POSTER電子版文件提交截止日：2025年11月7日
【注冊費用權(quán)益表】
備注：
＊第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）或中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠；
＊學生參會需提交相關(guān)證件；
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策；
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續(xù)費；
＊IFWS相關(guān)會議：開幕大會，碳化硅電子技術(shù)I-Ⅲ，氮化鎵功率電子I-Ⅳ，超寬禁帶半導體I-Ⅲ，氮化鎵射頻電子器件，新能源應用大會-車用&電源，第三代半導體標準與檢測研討會，POSTER交流；
＊SSL相關(guān)會議：開幕大會，新型顯示大會I-Ⅲ，固態(tài)紫外技術(shù)，健康照明技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)技術(shù)，光醫(yī)療技術(shù)，新能源應用大會-車用&電源，POSTER交流；
＊會議用餐包含：12日自助午餐和晚餐、13日自助午餐和晚餐、14日自助午餐；
＊Short Course用餐包含：11日晚餐及12日自助午餐。
【在線注冊】
掃碼即刻注冊報名參會
【征文投稿聯(lián)系方式】
尹利瑛（YIN Liying）/ 李楠 (LI Nan)
電話:18811765341 / 18601994986
郵箱：papersubmission@china-led.net
【贊助/參展/商務合作】
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
王先生: 18610119011，wangyz@casmita.com
【報名咨詢】
蘆女士：13601372457,luli@casmita.com
【交通信息】
會場：廈門泰地萬豪酒店
地址：海滄區(qū)海滄大道 839 號, 廈門, 福建, 361022
【酒店預定】
關(guān)于預訂:
1.住宿預訂信息登記。請聯(lián)系：鄭秀華17750581776/13055828178(微信同號)，郵箱：1141192798@qq.com 登記信息模板詳見附件1（請以excel文件格式進行填寫發(fā)送）。
2.關(guān)于房型，大床或雙床確定預定后，會務組將盡量按要求滿足所預定的房型。但由于會議期間酒店住宿緊張，具體房型以當天酒店安排為準。
附件下載： 
IFWS&SSLCHINA2025訂房信息登記表.xlsx
交通位置：
第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇
www.ifws.org.cn www.sslchina.org